RQJ0303PGDQA#H6

Renesas Electronics America Inc RQJ0303PGDQA#H6

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  • RQJ0303PGDQA#H6
  • Renesas Electronics America Inc
  • MOSFET P-CH 30V 3.3A 3MPAK
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • RQJ0303PGDQA#H6 Datenblatt
  • TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Bulk
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 3580
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
RQJ0303PGDQA#H6
Kategorie
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller
Renesas Electronics America Inc
Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 3.3A 3MPAK
Paket
Bulk
Serie
-
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Montageart
Surface Mount
Paket/Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket des Lieferanten
3-MPAK
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max.)
800mW (Ta)
FET-Typ
P-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30 V
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C
3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
68mOhm @ 1.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @Id
-
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
625 pF @ 10 V
Vgs (Max)
+10V, -20V
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On)
4.5V, 10V

RQJ0303PGDQA#H6 Garantien

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