Infineon Technologies FF11MR12W1M1B11BOMA1
- FF11MR12W1M1B11BOMA1
- Infineon Technologies
- MOSFET 2N-CH 1200V 100A MODULE
- Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- FF11MR12W1M1B11BOMA1 Datenblatt
- Module
- -Reel®
-
Lead free / RoHS Compliant - 8981
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| Teilenummer FF11MR12W1M1B11BOMA1 |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Hersteller Infineon Technologies |
| Beschreibung MOSFET 2N-CH 1200V 100A MODULE |
| Paket -Reel® |
| Serie CoolSiC™+ |
| Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart Chassis Mount |
| Paket/Koffer Module |
| Gerätepaket des Lieferanten Module |
| Power-Max - |
| FET-Typ 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion Silicon Carbide (SiC) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200V (1.2kV) |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 100A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 100A, 15V |
| Vgs(th) (Max) @Id 5.55V @ 40mA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 250nC @ 15V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 7950pF @ 800V |
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