EPC EPC2101ENGRT
- EPC2101ENGRT
- EPC
- GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
- Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- EPC2101ENGRT Datenblatt
- Die
- -Reel®
-
Lead free / RoHS Compliant
- 1463
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer EPC2101ENGRT |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Hersteller EPC |
Beschreibung GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID |
Paket -Reel® |
Serie eGaN® |
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer Die |
Gerätepaket des Lieferanten Die |
Power-Max - |
FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET-Funktion GaNFET (Gallium Nitride) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 9.5A, 38A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.5mOhm @ 20A, 5V |
Vgs(th) (Max) @Id 2.5V @ 2mA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 2.7nC @ 5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 300pF @ 30V |
EPC2101ENGRT Garantien
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