EPC EPC2102ENGRT
- EPC2102ENGRT
- EPC
- GANFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE
- Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- EPC2102ENGRT Datenblatt
- Die
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant - 6264
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| Teilenummer EPC2102ENGRT |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Hersteller EPC |
| Beschreibung GANFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE |
| Paket Tape & Reel (TR) |
| Serie eGaN® |
| Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer Die |
| Gerätepaket des Lieferanten Die |
| Power-Max - |
| FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET-Funktion GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 23A (Tj) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.4mOhm @ 20A, 5V |
| Vgs(th) (Max) @Id 2.5V @ 7mA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 6.8nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 830pF @ 30V |
EPC2102ENGRT Garantien



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