GD25D10CKIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25D10CKIGR

Das Bild dient nur als Referenz, bitte beachten Sie die Produktspezifikation

  • GD25D10CKIGR
  • GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • IC FLASH 1MBIT SPI/DUAL 8USON
  • Memory
  • GD25D10CKIGR Datenblatt
  • 8-XFDFN Exposed Pad
  • Cut Tape (CT)
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 1177
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
  • Klicken Sie hier, um Preise zu erhalten
Teilenummer
GD25D10CKIGR
Kategorie
Memory
Hersteller
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Beschreibung
IC FLASH 1MBIT SPI/DUAL 8USON
Paket
Cut Tape (CT)
Serie
-
Spannung - Versorgung
2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur
-40°C ~ 85°C (TA)
Montageart
Surface Mount
Paket/Koffer
8-XFDFN Exposed Pad
Gerätepaket des Lieferanten
8-USON (1.5x1.5)
Speichergröße
1Mb (128K x 8)
Technologie
FLASH - NOR
Speichertyp
Non-Volatile
Taktfrequenz
100 MHz
Zugriffszeit
-
Gedächtnis-Format
FLASH
Schreibzykluszeit – Wort, Seite
50µs, 4ms
Speicherschnittstelle
SPI - Dual I/O

GD25D10CKIGR Garantien

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