GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16EEIGR
- GD25Q16EEIGR
- GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
- 16MBIT NOR FLASH /3.3V /WSON 3*2
- Memory
- GD25Q16EEIGR Datenblatt
- 8-XFDFN Exposed Pad
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant - 4089
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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| Teilenummer GD25Q16EEIGR |
| Kategorie Memory |
| Hersteller GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Beschreibung 16MBIT NOR FLASH /3.3V /WSON 3*2 |
| Paket Tape & Reel (TR) |
| Serie - |
| Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer 8-XFDFN Exposed Pad |
| Gerätepaket des Lieferanten 8-USON (2x3) |
| Speichergröße 16Mb (2M x 8) |
| Technologie FLASH - NOR |
| Speichertyp Non-Volatile |
| Taktfrequenz 133 MHz |
| Zugriffszeit 7 ns |
| Gedächtnis-Format FLASH |
| Schreibzykluszeit – Wort, Seite 70µs, 2ms |
| Speicherschnittstelle SPI - Quad I/O |
GD25Q16EEIGR Garantien



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Bemerkungen
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GigaDevice Semiconductor Inc. was founded in April 2005 and is a Chinese company headquartered in Beijing, China. It has branches and offices in multiple countries and regions including Shanghai, Shenzhen, Hefei, Xi'an, Chengdu, Hong...
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