GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q256EYIGR
- GD25Q256EYIGR
- GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
- 256MBIT NOR FLASH /3.3V /WSON8 8
- Memory
- GD25Q256EYIGR Datenblatt
- 8-WDFN Exposed Pad
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant - 1097
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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| Teilenummer GD25Q256EYIGR |
| Kategorie Memory |
| Hersteller GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Beschreibung 256MBIT NOR FLASH /3.3V /WSON8 8 |
| Paket Tape & Reel (TR) |
| Serie - |
| Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer 8-WDFN Exposed Pad |
| Gerätepaket des Lieferanten 8-WSON (6x8) |
| Speichergröße 256Mb (32M x 8) |
| Technologie FLASH - NOR |
| Speichertyp Non-Volatile |
| Taktfrequenz 133 MHz |
| Zugriffszeit 7 ns |
| Gedächtnis-Format FLASH |
| Schreibzykluszeit – Wort, Seite 50µs, 2.4ms |
| Speicherschnittstelle SPI - Quad I/O |
GD25Q256EYIGR Garantien



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Bemerkungen
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GigaDevice Semiconductor Inc. was founded in April 2005 and is a Chinese company headquartered in Beijing, China. It has branches and offices in multiple countries and regions including Shanghai, Shenzhen, Hefei, Xi'an, Chengdu, Hong...
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