GD25Q256EYIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q256EYIGR

Das Bild dient nur als Referenz, bitte beachten Sie die Produktspezifikation

  • GD25Q256EYIGR
  • GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • 256MBIT NOR FLASH /3.3V /WSON8 8
  • Memory
  • GD25Q256EYIGR Datenblatt
  • 8-WDFN Exposed Pad
  • Tape & Reel (TR)
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 1097
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
  • Klicken Sie hier, um Preise zu erhalten
Teilenummer
GD25Q256EYIGR
Kategorie
Memory
Hersteller
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Beschreibung
256MBIT NOR FLASH /3.3V /WSON8 8
Paket
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Spannung - Versorgung
2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur
-40°C ~ 85°C (TA)
Montageart
Surface Mount
Paket/Koffer
8-WDFN Exposed Pad
Gerätepaket des Lieferanten
8-WSON (6x8)
Speichergröße
256Mb (32M x 8)
Technologie
FLASH - NOR
Speichertyp
Non-Volatile
Taktfrequenz
133 MHz
Zugriffszeit
7 ns
Gedächtnis-Format
FLASH
Schreibzykluszeit – Wort, Seite
50µs, 2.4ms
Speicherschnittstelle
SPI - Quad I/O

GD25Q256EYIGR Garantien

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