GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q256EYIGR
- GD25Q256EYIGR
- GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
- 256MBIT NOR FLASH /3.3V /WSON8 8
- Memory
- GD25Q256EYIGR Datenblatt
- 8-WDFN Exposed Pad
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant
- 1097
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer GD25Q256EYIGR |
Kategorie Memory |
Hersteller GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
Beschreibung 256MBIT NOR FLASH /3.3V /WSON8 8 |
Paket Tape & Reel (TR) |
Serie - |
Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V |
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer 8-WDFN Exposed Pad |
Gerätepaket des Lieferanten 8-WSON (6x8) |
Speichergröße 256Mb (32M x 8) |
Technologie FLASH - NOR |
Speichertyp Non-Volatile |
Taktfrequenz 133 MHz |
Zugriffszeit 7 ns |
Gedächtnis-Format FLASH |
Schreibzykluszeit – Wort, Seite 50µs, 2.4ms |
Speicherschnittstelle SPI - Quad I/O |
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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
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GigaDevice Semiconductor Inc. was founded in April 2005 and is a Chinese company headquartered in Beijing, China. It has branches and offices in multiple countries and regions including Shanghai, Shenzhen, Hefei, Xi'an, Chengdu, Hong...

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