Toshiba Semiconductor and Storage GT10J312(Q)
- GT10J312(Q)
- Toshiba Semiconductor and Storage
- IGBT 600V 10A 60W TO220SM
- Transistors - IGBTs - Single
- GT10J312(Q) Datenblatt
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant
- 18642
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer GT10J312(Q) |
Kategorie Transistors - IGBTs - Single |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage |
Beschreibung IGBT 600V 10A 60W TO220SM |
Paket Tube |
Serie - |
Betriebstemperatur 150°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Gerätepaket des Lieferanten TO-220SM |
Power-Max 60 W |
Eingabetyp Standard |
Reverse Recovery Time (trr) 200 ns |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 10 A |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) 600 V |
IGBT-Typ - |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 10A |
Gate-Gebühr - |
Td (ein/aus) bei 25 °C 400ns/400ns |
Testbedingung 300V, 10A, 100Ohm, 15V |
Strom – Kollektor gepulst (Icm) 20 A |
Energie wechseln - |
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