Toshiba Semiconductor and Storage GT50J121(Q)
- GT50J121(Q)
- Toshiba Semiconductor and Storage
- IGBT 600V 50A 240W TO3P LH
- Transistors - IGBTs - Single
- GT50J121(Q) Datenblatt
- TO-3PL
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant
- 20255
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Teilenummer GT50J121(Q) |
Kategorie Transistors - IGBTs - Single |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage |
Beschreibung IGBT 600V 50A 240W TO3P LH |
Paket Tube |
Serie - |
Betriebstemperatur 150°C (TJ) |
Montageart Through Hole |
Paket/Koffer TO-3PL |
Gerätepaket des Lieferanten TO-3P(LH) |
Power-Max 240 W |
Eingabetyp Standard |
Reverse Recovery Time (trr) - |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 50 A |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) 600 V |
IGBT-Typ - |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 50A |
Gate-Gebühr - |
Td (ein/aus) bei 25 °C 90ns/300ns |
Testbedingung 300V, 50A, 13Ohm, 15V |
Strom – Kollektor gepulst (Icm) 100 A |
Energie wechseln 1.3mJ (on), 1.34mJ (off) |
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