GT60N321(Q)

Toshiba Semiconductor and Storage GT60N321(Q)

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  • GT60N321(Q)
  • Toshiba Semiconductor and Storage
  • IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH
  • Transistors - IGBTs - Single
  • GT60N321(Q) Datenblatt
  • TO-3PL
  • Tube
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 2041
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
GT60N321(Q)
Kategorie
Transistors - IGBTs - Single
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH
Paket
Tube
Serie
-
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Montageart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-3PL
Gerätepaket des Lieferanten
TO-3P(LH)
Power-Max
170 W
Eingabetyp
Standard
Reverse Recovery Time (trr)
2.5 µs
Strom - Kollektor (Ic) (Max)
60 A
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)
1000 V
IGBT-Typ
-
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.8V @ 15V, 60A
Gate-Gebühr
-
Td (ein/aus) bei 25 °C
330ns/700ns
Testbedingung
-
Strom – Kollektor gepulst (Icm)
120 A
Energie wechseln
-

GT60N321(Q) Garantien

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