ON Semiconductor HGTG30N60B3D
- HGTG30N60B3D
- ON Semiconductor
- IGBT 600V 60A TO247-3
- Transistors - IGBTs - Single
- HGTG30N60B3D Datenblatt
- TO-247-3
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant
- 4310
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer HGTG30N60B3D |
Kategorie Transistors - IGBTs - Single |
Hersteller ON Semiconductor |
Beschreibung IGBT 600V 60A TO247-3 |
Paket Bulk |
Serie - |
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Through Hole |
Paket/Koffer TO-247-3 |
Gerätepaket des Lieferanten TO-247-3 |
Power-Max 208 W |
Eingabetyp Standard |
Reverse Recovery Time (trr) 55 ns |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 60 A |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) 600 V |
IGBT-Typ - |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 30A |
Gate-Gebühr 170 nC |
Td (ein/aus) bei 25 °C 36ns/137ns |
Testbedingung 480V, 30A, 3Ohm, 15V |
Strom – Kollektor gepulst (Icm) 220 A |
Energie wechseln 550µJ (on), 680µJ (off) |
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