HGTG30N60B3D

ON Semiconductor HGTG30N60B3D

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  • HGTG30N60B3D
  • ON Semiconductor
  • IGBT 600V 60A TO247-3
  • Transistors - IGBTs - Single
  • HGTG30N60B3D Datenblatt
  • TO-247-3
  • Bulk
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 4310
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
HGTG30N60B3D
Kategorie
Transistors - IGBTs - Single
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
IGBT 600V 60A TO247-3
Paket
Bulk
Serie
-
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-247-3
Gerätepaket des Lieferanten
TO-247-3
Power-Max
208 W
Eingabetyp
Standard
Reverse Recovery Time (trr)
55 ns
Strom - Kollektor (Ic) (Max)
60 A
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)
600 V
IGBT-Typ
-
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 30A
Gate-Gebühr
170 nC
Td (ein/aus) bei 25 °C
36ns/137ns
Testbedingung
480V, 30A, 3Ohm, 15V
Strom – Kollektor gepulst (Icm)
220 A
Energie wechseln
550µJ (on), 680µJ (off)

HGTG30N60B3D Garantien

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