ON Semiconductor FGB5N60UNDF
- FGB5N60UNDF
- ON Semiconductor
- IGBT NPT 600V 10A D2PAK
- Transistors - IGBTs - Single
- FGB5N60UNDF Datenblatt
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant
- 3889
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Teilenummer FGB5N60UNDF |
Kategorie Transistors - IGBTs - Single |
Hersteller ON Semiconductor |
Beschreibung IGBT NPT 600V 10A D2PAK |
Paket Tape & Reel (TR) |
Serie - |
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Gerätepaket des Lieferanten D²PAK (TO-263) |
Power-Max 73.5 W |
Eingabetyp Standard |
Reverse Recovery Time (trr) 35 ns |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 10 A |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) 600 V |
IGBT-Typ NPT |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 5A |
Gate-Gebühr 12.1 nC |
Td (ein/aus) bei 25 °C 5.4ns/25.4ns |
Testbedingung 400V, 5A, 10Ohm, 15V |
Strom – Kollektor gepulst (Icm) 15 A |
Energie wechseln 80µJ (on), 70µJ (off) |
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Bemerkungen
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