ON Semiconductor HGTP3N60A4
- HGTP3N60A4
- ON Semiconductor
- IGBT 600V 17A 70W TO220AB
- Transistors - IGBTs - Single
- HGTP3N60A4 Datenblatt
- TO-220-3
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant
- 4667
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer HGTP3N60A4 |
Kategorie Transistors - IGBTs - Single |
Hersteller ON Semiconductor |
Beschreibung IGBT 600V 17A 70W TO220AB |
Paket Bulk |
Serie - |
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Through Hole |
Paket/Koffer TO-220-3 |
Gerätepaket des Lieferanten TO-220-3 |
Power-Max 70 W |
Eingabetyp Standard |
Reverse Recovery Time (trr) - |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 17 A |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) 600 V |
IGBT-Typ - |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 3A |
Gate-Gebühr 21 nC |
Td (ein/aus) bei 25 °C 6ns/73ns |
Testbedingung 390V, 3A, 50Ohm, 15V |
Strom – Kollektor gepulst (Icm) 40 A |
Energie wechseln 37µJ (on), 25µJ (off) |
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