ON Semiconductor HGTP10N120BN
- HGTP10N120BN
- ON Semiconductor
- IGBT 1200V 35A 298W TO220AB
- Transistors - IGBTs - Single
- HGTP10N120BN Datenblatt
- TO-220-3
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant - 1377
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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| Teilenummer HGTP10N120BN |
| Kategorie Transistors - IGBTs - Single |
| Hersteller ON Semiconductor |
| Beschreibung IGBT 1200V 35A 298W TO220AB |
| Paket Tube |
| Serie - |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart Through Hole |
| Paket/Koffer TO-220-3 |
| Gerätepaket des Lieferanten TO-220-3 |
| Power-Max 298 W |
| Eingabetyp Standard |
| Reverse Recovery Time (trr) - |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) 35 A |
| Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) 1200 V |
| IGBT-Typ NPT |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 10A |
| Gate-Gebühr 100 nC |
| Td (ein/aus) bei 25 °C 23ns/165ns |
| Testbedingung 960V, 10A, 10Ohm, 15V |
| Strom – Kollektor gepulst (Icm) 80 A |
| Energie wechseln 320µJ (on), 800µJ (off) |
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Bemerkungen
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