Toshiba Semiconductor and Storage RN2116MFV,L3F
- RN2116MFV,L3F
- Toshiba Semiconductor and Storage
- TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
- Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
- RN2116MFV,L3F Datenblatt
- SOT-723
- -Reel®
-
Lead free / RoHS Compliant
- 23191
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer RN2116MFV,L3F |
Kategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage |
Beschreibung TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM |
Paket -Reel® |
Serie - |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer SOT-723 |
Gerätepaket des Lieferanten VESM |
Power-Max 150 mW |
Transistortyp PNP - Pre-Biased |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100 mA |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) 50 V |
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic 300mV @ 500µA, 5mA |
Strom – Kollektorabschaltung (max.) 500nA |
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce 50 @ 10mA, 5V |
Frequenzübergang - |
Widerstandsbasis (R1) 4.7 kOhms |
Widerstand – Emitterbasis (R2) 10 kOhms |
RN2116MFV,L3F Garantien
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In 1875, Toshiba Semiconductor and Storage was founded in Tokyo, Japan. The company's products...

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