SI4196DY-T1-GE3

Vishay Siliconix SI4196DY-T1-GE3

Name: SI4196DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4196DY-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)
Author: Jinftry

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Artikelnummer： SI4196DY-T1-GE3
Hersteller： Vishay Siliconix
Beschreibung:MOSFET N-CH 20V 8A 8SOIC
Kategorie： Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt： SI4196DY-T1-GE3 Datenblatt
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Paket/Fall： 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paket： 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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SI4196DY-T1-GE3 Spezifikationen

Teilenummer
SI4196DY-T1-GE3

Kategorie
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller
Vishay Siliconix

Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 8A 8SOIC

Paket
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Serie
TrenchFET?

Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)

Montageart
Surface Mount

Paket/Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Gerätepaket des Lieferanten
8-SO

Technologie
MOSFET (Metal Oxide)

Verlustleistung (max.)
2W (Ta), 4.6W (Tc)

FET-Typ
N-Channel

Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V

Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C
8A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs
27 mOhm @ 8A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @Id
1V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
830pF @ 10V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
1.8V, 4.5V

Vgs (Max)
±8V

Product Introduction
Datasheet
Beispielanwendung
Verpackung
FAQ

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Unser Service garantiert Kundenzufriedenheit.
Wir haben ein erfahrenes Verkaufsteam und ein technisches Support-Team, um alle Kundenanforderungen zu erfüllen.

jinfftry-guarantee3 Qualitätssicherung
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