STMicroelectronics STD12N60DM6
- STD12N60DM6
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- STD12N60DM6 Datenblatt
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- -Reel®
-
Lead free / RoHS Compliant
- 20100
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer STD12N60DM6 |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller STMicroelectronics |
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 10A DPAK |
Paket -Reel® |
Serie MDmesh™ |
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Gerätepaket des Lieferanten D-PAK (TO-252) |
Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
Verlustleistung (max.) 90W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 10A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 390mOhm @ 5A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 4.75V @ 250µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 508 pF @ 100 V |
Vgs (Max) ±25V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) - |
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