STMicroelectronics STD12N60DM6
- STD12N60DM6
- STMicroelectronics
- MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- STD12N60DM6 Datenblatt
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- -Reel®
-
Lead free / RoHS Compliant - 20100
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| Teilenummer STD12N60DM6 |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller STMicroelectronics |
| Beschreibung MOSFET N-CH 600V 10A DPAK |
| Paket -Reel® |
| Serie MDmesh™ |
| Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Gerätepaket des Lieferanten D-PAK (TO-252) |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 90W (Tc) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 10A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 390mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 4.75V @ 250µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 508 pF @ 100 V |
| Vgs (Max) ±25V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) - |
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