Kioxia America, Inc. TC58BYG1S3HBAI4
- TC58BYG1S3HBAI4
- Kioxia America, Inc.
- IC FLASH 2GBIT 63TFBGA
- Memory
- TC58BYG1S3HBAI4 Datenblatt
- 63-VFBGA
- Tray
-
Lead free / RoHS Compliant
- 2980
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer TC58BYG1S3HBAI4 |
Kategorie Memory |
Hersteller Kioxia America, Inc. |
Beschreibung IC FLASH 2GBIT 63TFBGA |
Paket Tray |
Serie Benand™ |
Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.95V |
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer 63-VFBGA |
Gerätepaket des Lieferanten 63-TFBGA (9x11) |
Speichergröße 2Gb (256M x 8) |
Technologie FLASH - NAND (SLC) |
Speichertyp Non-Volatile |
Taktfrequenz - |
Zugriffszeit - |
Gedächtnis-Format FLASH |
Schreibzykluszeit – Wort, Seite 25ns |
Speicherschnittstelle - |
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Bemerkungen
Kioxia America, Inc.

KIOXIA America, Inc., formerly known as Toshiba Memory, was a subsidiary of Toshiba Corporation. Toshiba invented NAND flash memory in 1987 and spun off Toshiba Memory from Toshiba Corporation in April 2017. It was officially...

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IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA

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