Kioxia America, Inc. TC58NYG0S3HBAI6
- TC58NYG0S3HBAI6
- Kioxia America, Inc.
- IC FLASH 1GBIT PARALLEL 67VFBGA
- Memory
- TC58NYG0S3HBAI6 Datenblatt
- 67-VFBGA
- -Reel®
-
Lead free / RoHS Compliant
- 28019
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer TC58NYG0S3HBAI6 |
Kategorie Memory |
Hersteller Kioxia America, Inc. |
Beschreibung IC FLASH 1GBIT PARALLEL 67VFBGA |
Paket -Reel® |
Serie - |
Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.95V |
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer 67-VFBGA |
Gerätepaket des Lieferanten 67-VFBGA (6.5x8) |
Speichergröße 1Gb (128M x 8) |
Technologie FLASH - NAND (SLC) |
Speichertyp Non-Volatile |
Taktfrequenz - |
Zugriffszeit 25 ns |
Gedächtnis-Format FLASH |
Schreibzykluszeit – Wort, Seite 25ns |
Speicherschnittstelle Parallel |
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Bemerkungen
Kioxia America, Inc.

KIOXIA America, Inc., formerly known as Toshiba Memory, was a subsidiary of Toshiba Corporation. Toshiba invented NAND flash memory in 1987 and spun off Toshiba Memory from Toshiba Corporation in April 2017. It was officially...

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