Toshiba Semiconductor and Storage TK39N60X,S1F
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- TK39N60X,S1F
- Toshiba Semiconductor and Storage
- MOSFET N-CH 600V 38.8A TO247
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TK39N60X,S1F Datenblatt
- TO-247-3
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant - 4684
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| Teilenummer TK39N60X,S1F |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage |
| Beschreibung MOSFET N-CH 600V 38.8A TO247 |
| Paket Tube |
| Serie DTMOSIV-H |
| Betriebstemperatur 150°C (TJ) |
| Montageart Through Hole |
| Paket/Koffer TO-247-3 |
| Gerätepaket des Lieferanten TO-247 |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 270W (Tc) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion Super Junction |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 38.8A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 12.5A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 3.5V @ 1.9mA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 85 nC @ 10 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 4100 pF @ 300 V |
| Vgs (Max) ±30V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 10V |
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