Transphorm TP65H050WSQA
- TP65H050WSQA
- Transphorm
- GANFET N-CH 650V 36A TO247-3
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TP65H050WSQA Datenblatt
- TO-247-3
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant
- 15940
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer TP65H050WSQA |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Hersteller Transphorm |
Beschreibung GANFET N-CH 650V 36A TO247-3 |
Paket Tube |
Serie Automotive, AEC-Q101 |
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montageart Through Hole |
Paket/Koffer TO-247-3 |
Gerätepaket des Lieferanten TO-247-3 |
Technologie GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) |
Verlustleistung (max.) 150W (Tc) |
FET-Typ N-Channel |
FET-Funktion - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 36A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 25A, 10V |
Vgs(th) (Max) @Id 4.8V @ 700µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1000 pF @ 400 V |
Vgs (Max) ±20V |
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 10V |
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