Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8010-H(TE12L,Q
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- TPCA8010-H(TE12L,Q
- Toshiba Semiconductor and Storage
- MOSFET N-CH 200V 5.5A 8SOP
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TPCA8010-H(TE12L,Q Datenblatt
- 8-PowerVDFN
- -
-
Lead free / RoHS Compliant - 1904
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| Teilenummer TPCA8010-H(TE12L,Q |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage |
| Beschreibung MOSFET N-CH 200V 5.5A 8SOP |
| Paket - |
| Serie π-MOSV |
| Betriebstemperatur 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer 8-PowerVDFN |
| Gerätepaket des Lieferanten 8-SOP Advance (5x5) |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 1.6W (Ta), 45W (Tc) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 5.5A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 450mOhm @ 2.7A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 4V @ 1mA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 600 pF @ 10 V |
| Vgs (Max) ±20V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 10V |
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