TPH3212PS

Transphorm TPH3212PS

Das Bild dient nur als Referenz, bitte beachten Sie die Produktspezifikation

  • TPH3212PS
  • Transphorm
  • GANFET N-CH 650V 27A TO220AB
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • TPH3212PS Datenblatt
  • TO-220-3
  • Tube
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 1801
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
TPH3212PS
Kategorie
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller
Transphorm
Beschreibung
GANFET N-CH 650V 27A TO220AB
Paket
Tube
Serie
-
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-220-3
Gerätepaket des Lieferanten
TO-220AB
Technologie
GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Verlustleistung (max.)
104W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C
27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
72mOhm @ 17A, 8V
Vgs(th) (Max) @Id
2.6V @ 400uA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 8 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
1130 pF @ 400 V
Vgs (Max)
±18V
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On)
10V

TPH3212PS Garantien

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