Toshiba Semiconductor and Storage TPH6R30ANL,L1Q
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- TPH6R30ANL,L1Q
- Toshiba Semiconductor and Storage
- MOSFET N-CH 100V 66A/45A 8SOP
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TPH6R30ANL,L1Q Datenblatt
- 8-PowerVDFN
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant - 4689
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| Teilenummer TPH6R30ANL,L1Q |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage |
| Beschreibung MOSFET N-CH 100V 66A/45A 8SOP |
| Paket Tube |
| Serie U-MOSVIII-H |
| Betriebstemperatur 150°C |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer 8-PowerVDFN |
| Gerätepaket des Lieferanten 8-SOP Advance (5x5) |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta), 54W (Tc) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 66A (Ta), 45A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.3mOhm @ 22.5A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 2.5V @ 500µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 55 nC @ 10 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 4300 pF @ 50 V |
| Vgs (Max) ±20V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 4.5V, 10V |
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