NGB8206NSL3G

ON Semiconductor NGB8206NSL3G

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  • NGB8206NSL3G
  • ON Semiconductor
  • IGBT IGNITION 350V 20A D2PAK
  • Transistors - IGBTs - Single
  • NGB8206NSL3G Datenblatt
  • TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Tube
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 1782
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
NGB8206NSL3G
Kategorie
Transistors - IGBTs - Single
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
IGBT IGNITION 350V 20A D2PAK
Paket
Tube
Serie
-
Betriebstemperatur
-
Montageart
Surface Mount
Paket/Koffer
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gerätepaket des Lieferanten
D²PAK
Power-Max
150 W
Eingabetyp
Logic
Reverse Recovery Time (trr)
-
Strom - Kollektor (Ic) (Max)
20 A
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)
390 V
IGBT-Typ
-
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 4.5V, 20A
Gate-Gebühr
-
Td (ein/aus) bei 25 °C
-
Testbedingung
-
Strom – Kollektor gepulst (Icm)
-
Energie wechseln
-

NGB8206NSL3G Garantien

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