ON Semiconductor NGB8206NSL3G
- NGB8206NSL3G
- ON Semiconductor
- IGBT IGNITION 350V 20A D2PAK
- Transistors - IGBTs - Single
- NGB8206NSL3G Datenblatt
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant
- 1782
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer NGB8206NSL3G |
Kategorie Transistors - IGBTs - Single |
Hersteller ON Semiconductor |
Beschreibung IGBT IGNITION 350V 20A D2PAK |
Paket Tube |
Serie - |
Betriebstemperatur - |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Gerätepaket des Lieferanten D²PAK |
Power-Max 150 W |
Eingabetyp Logic |
Reverse Recovery Time (trr) - |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 20 A |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) 390 V |
IGBT-Typ - |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 4.5V, 20A |
Gate-Gebühr - |
Td (ein/aus) bei 25 °C - |
Testbedingung - |
Strom – Kollektor gepulst (Icm) - |
Energie wechseln - |
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