Toshiba Semiconductor and Storage TK12J60W,S1VE(S
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- TK12J60W,S1VE(S
- Toshiba Semiconductor and Storage
- MOSFET N-CH 600V 11.5A TO3P
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TK12J60W,S1VE(S Datenblatt
- TO-3P-3, SC-65-3
- Tray
-
Lead free / RoHS Compliant - 7391
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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| Teilenummer TK12J60W,S1VE(S |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage |
| Beschreibung MOSFET N-CH 600V 11.5A TO3P |
| Paket Tray |
| Serie - |
| Betriebstemperatur 150°C |
| Montageart Through Hole |
| Paket/Koffer TO-3P-3, SC-65-3 |
| Gerätepaket des Lieferanten TO-3P(N) |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 110W (Tc) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 11.5A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 5.8A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 3.7V @ 600µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 890 pF @ 300 V |
| Vgs (Max) ±30V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 10V |
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