Toshiba Semiconductor and Storage TK40J20D,S1F(O
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- TK40J20D,S1F(O
- Toshiba Semiconductor and Storage
- MOSFET N-CH 200V 40A TO3P
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TK40J20D,S1F(O Datenblatt
- TO-3P-3, SC-65-3
- Tray
-
Lead free / RoHS Compliant - 14023
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| Teilenummer TK40J20D,S1F(O |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage |
| Beschreibung MOSFET N-CH 200V 40A TO3P |
| Paket Tray |
| Serie π-MOSVIII |
| Betriebstemperatur 150°C |
| Montageart Through Hole |
| Paket/Koffer TO-3P-3, SC-65-3 |
| Gerätepaket des Lieferanten TO-3P(N) |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 260W (Tc) |
| FET-Typ N-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 40A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 44mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 3.5V @ 1mA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 4300 pF @ 100 V |
| Vgs (Max) ±20V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 10V |
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