Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8105,L1Q(CM
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- TPCC8105,L1Q(CM
- Toshiba Semiconductor and Storage
- MOSFET P-CH 30V 23A 8TSON
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TPCC8105,L1Q(CM Datenblatt
- 8-VDFN Exposed Pad
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant - 22428
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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| Teilenummer TPCC8105,L1Q(CM |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage |
| Beschreibung MOSFET P-CH 30V 23A 8TSON |
| Paket Tape & Reel (TR) |
| Serie U-MOSVI |
| Betriebstemperatur 150°C |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer 8-VDFN Exposed Pad |
| Gerätepaket des Lieferanten 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Technologie MOSFET (Metal Oxide) |
| Verlustleistung (max.) 700mW (Ta), 30W (Tc) |
| FET-Typ P-Channel |
| FET-Funktion - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 23A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.8mOhm @ 11.5A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @Id 2V @ 500µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 76 nC @ 10 V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 3240 pF @ 10 V |
| Vgs (Max) +20V, -25V |
| Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On) 4.5V, 10V |
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