EPC EPC2106ENGRT
- EPC2106ENGRT
- EPC
- GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE
- Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- EPC2106ENGRT Datenblatt
- Die
- Cut Tape (CT)
-
Lead free / RoHS Compliant - 2827
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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| Teilenummer EPC2106ENGRT |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Hersteller EPC |
| Beschreibung GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE |
| Paket Cut Tape (CT) |
| Serie eGaN® |
| Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer Die |
| Gerätepaket des Lieferanten Die |
| Power-Max - |
| FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET-Funktion GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 1.7A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 2A, 5V |
| Vgs(th) (Max) @Id 2.5V @ 600µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 0.73nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 75pF @ 50V |
EPC2106ENGRT Garantien



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