EPC EPC2106ENGRT
- EPC2106ENGRT
- EPC
- GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE
- Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- EPC2106ENGRT Datenblatt
- Die
- Cut Tape (CT)
-
Lead free / RoHS Compliant
- 2827
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer EPC2106ENGRT |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Hersteller EPC |
Beschreibung GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE |
Paket Cut Tape (CT) |
Serie eGaN® |
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer Die |
Gerätepaket des Lieferanten Die |
Power-Max - |
FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET-Funktion GaNFET (Gallium Nitride) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 1.7A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 2A, 5V |
Vgs(th) (Max) @Id 2.5V @ 600µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 0.73nC @ 5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 75pF @ 50V |
EPC2106ENGRT Garantien
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