EPC EPC2111ENGRT
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- TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID
- Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- EPC2111ENGRT Datenblatt
- Die
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-
Lead free / RoHS Compliant
- 971
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Teilenummer EPC2111ENGRT |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Hersteller EPC |
Beschreibung TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID |
Paket Die |
Serie - |
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer Die |
Gerätepaket des Lieferanten Die |
FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET-Funktion GaNFET (Gallium Nitride) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 16A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19 mOhm @ 15A, 5V, 8 mOhm @ 15A, 5V |
Vgs(th) (Max) @Id 2.5V @ 5mA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 230pF @ 15V, 590pF @ 15V |
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