EPC EPC2107
- EPC2107
- EPC
- GANFET 3 N-CH 100V 9BGA
- Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- EPC2107 Datenblatt
- 9-VFBGA
- Cut Tape (CT)
-
Lead free / RoHS Compliant
- 4268
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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Teilenummer EPC2107 |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Hersteller EPC |
Beschreibung GANFET 3 N-CH 100V 9BGA |
Paket Cut Tape (CT) |
Serie eGaN® |
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer 9-VFBGA |
Gerätepaket des Lieferanten 9-BGA (1.35x1.35) |
Power-Max - |
FET-Typ 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) |
FET-Funktion GaNFET (Gallium Nitride) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 1.7A, 500mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V |
Vgs(th) (Max) @Id 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 16pF @ 50V, 7pF @ 50V |
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