EPC EPC2110ENGRT
- EPC2110ENGRT
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- GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE
- Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- EPC2110ENGRT Datenblatt
- Die
- -Reel®
-
Lead free / RoHS Compliant
- 1076
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Teilenummer EPC2110ENGRT |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Hersteller EPC |
Beschreibung GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE |
Paket -Reel® |
Serie eGaN® |
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer Die |
Gerätepaket des Lieferanten Die |
Power-Max - |
FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Common Source |
FET-Funktion GaNFET (Gallium Nitride) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 120V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 3.4A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 4A, 5V |
Vgs(th) (Max) @Id 2.5V @ 700µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 0.8nC @ 5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 80pF @ 60V |
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