EPC EPC2105ENGRT
- EPC2105ENGRT
- EPC
- GANFET 2NCH 80V 9.5A DIE
- Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- EPC2105ENGRT Datenblatt
- Die
- Cut Tape (CT)
-
Lead free / RoHS Compliant - 3291
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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| Teilenummer EPC2105ENGRT |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Hersteller EPC |
| Beschreibung GANFET 2NCH 80V 9.5A DIE |
| Paket Cut Tape (CT) |
| Serie eGaN® |
| Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer Die |
| Gerätepaket des Lieferanten Die |
| Power-Max - |
| FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET-Funktion GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 80V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 9.5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.5mOhm @ 20A, 5V |
| Vgs(th) (Max) @Id 2.5V @ 2.5mA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 2.5nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 300pF @ 40V |
EPC2105ENGRT Garantien



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