STL12N65M2

STMicroelectronics STL12N65M2

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  • STL12N65M2
  • STMicroelectronics
  • MOSFET N-CH 650V 5A POWERFLAT HV
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • STL12N65M2 Datenblatt
  • 8-PowerVDFN
  • Cut Tape (CT)
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 15836
  • Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
  • 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
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Teilenummer
STL12N65M2
Kategorie
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 5A POWERFLAT HV
Paket
Cut Tape (CT)
Serie
MDmesh™
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart
Surface Mount
Paket/Koffer
8-PowerVDFN
Gerätepaket des Lieferanten
PowerFlat™ (5x6) HV
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max.)
48W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C
5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
750mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @Id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
12.5 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
410 pF @ 100 V
Vgs (Max)
±25V
Antriebsspannung (Max. Rds On, Min. Rds On)
10V

STL12N65M2 Garantien

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