EPC EPC2105ENG
- EPC2105ENG
- EPC
- TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE
- Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- EPC2105ENG Datenblatt
- Die
- Die
-
Lead free / RoHS Compliant
- 1573
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
- 1-Jahres-Qualitätssicherung 》
- Klicken Sie hier, um Preise zu erhalten
Teilenummer EPC2105ENG |
Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Hersteller EPC |
Beschreibung TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE |
Paket Die |
Serie eGaN? |
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart Surface Mount |
Paket/Koffer Die |
Gerätepaket des Lieferanten Die |
FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET-Funktion GaNFET (Gallium Nitride) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80V |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 9.5A, 38A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.5 mOhm @ 20A, 5V |
Vgs(th) (Max) @Id 2.5V @ 2.5mA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 2.5nC @ 5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 300pF @ 40V |
EPC2105ENG Garantien
• Antworten Sie umgehend
• Garantierte Qualität
• Globaler Zugang
• Wettbewerbsfähiger Marktpreis
• One-Stop-Support für die Lieferkette
Jinftry, es ist Ihr vertrauenswürdigster Zulieferer. Bitte senden Sie uns die Anfrage. Vielen Dank!
Haben Sie Fragen zu EPC2105ENG ?
Fühlen Sie sich frei uns zu kontaktieren:
+86-755-28503874
+8615019224070, annies65, +8615118125813
568248857, 827259012, 316249462
+8615019224070, +8615118118839, +8615118125813
( E-Mail zuerst wird dankbar sein )
Bemerkungen
EPC

EPC2106ENGRT
GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE

EPC2108ENGRT
GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE

EPC2104ENGRT
GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE

EPC2105ENGRT
GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE

EPC2100ENGRT
GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE

EPC2111ENGRT
GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE

EPC2110ENGRT
GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE

EPC2107
GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE