EPC EPC2105ENG
- EPC2105ENG
- EPC
- TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE
- Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- EPC2105ENG Datenblatt
- Die
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-
Lead free / RoHS Compliant - 1573
- Spot-Inventar/autorisierte Händler/Werksüberschuss-Inventar
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| Teilenummer EPC2105ENG |
| Kategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Hersteller EPC |
| Beschreibung TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE |
| Paket Die |
| Serie eGaN? |
| Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart Surface Mount |
| Paket/Koffer Die |
| Gerätepaket des Lieferanten Die |
| FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET-Funktion GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) 80V |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 9.5A, 38A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.5 mOhm @ 20A, 5V |
| Vgs(th) (Max) @Id 2.5V @ 2.5mA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 2.5nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 300pF @ 40V |
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